مواصفات التكنولوجيا NTUD3128NT5G
المواصفات الفنية onsemi - NTUD3128NT5G والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - NTUD3128NT5G
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-963 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3Ohm @ 100mA, 4.5V | |
| السلطة - ماكس | 125mW | |
| حزمة / كيس | SOT-963 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 9pF @ 15V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | - | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 160mA | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | NTUD31 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi NTUD3128NT5G.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | NTUD3128NT5G | NTUD3170NZT5G | NTUD3127CT5G | IRF7303PBF |
| الصانع | onsemi | onsemi | onsemi | Infineon Technologies |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-963 | SOT-963 | SOT-963 | 8-SO |
| حزمة / كيس | SOT-963 | SOT-963 | SOT-963 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| رقم المنتج الأساسي | NTUD31 | NTUD3170 | NTUD31 | IRF73 |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 160mA | 220mA | 160mA, 140mA | 4.9A |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3Ohm @ 100mA, 4.5V | 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V | 3Ohm @ 100mA, 4.5V | 50mOhm @ 2.4A, 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | - | - | - | 25nC @ 10V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 9pF @ 15V | 12.5pF @ 15V | 9pF @ 15V | 520pF @ 25V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| سلسلة | - | - | - | HEXFET® |
| السلطة - ماكس | 125mW | 125mW | 125mW | 2W |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | 20V | 20V | 30V |
قم بتنزيل أوراق بيانات NTUD3128NT5G PDF ووثائق onsemi لـ NTUD3128NT5G - onsemi.
NTUD3170NZT5GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 0.22A SOT-963NTUD3127CT5GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT-963IRF7303PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
FDS8984onsemiMOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
SI4900DY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOICNTUD3169CZT5GonsemiMOSFET N/P-CH 20V SOT963
2N7002DWKX-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 60V SOT-363NTUD3170NZAMI Semiconductor/onsemiIRF9956TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOICFDS3812onsemiMOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
UT6K3TCRRohm Semiconductor30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
IRF7755Infineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 20V 3.9A 8-TSSOP
DMG1029SV-7Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 60V SOT563RM2003Rectron USAMOSFET N&P-CH 20V 3A SOT23-6NTUD3174NZT5GonsemiMOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
SIF912EDZ-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAKNTUD3171PZT5GonsemiMOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963NTUD3169CZONsemi| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.