مواصفات التكنولوجيا RFD8P05SM
المواصفات الفنية onsemi - RFD8P05SM والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - RFD8P05SM
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252AA | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 300mOhm @ 8A, 10V | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 80 nC @ 20 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 50 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 8A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | RFD8P |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi RFD8P05SM.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RFD8P05SM | RFD8P05SM | RFD8P06ESM | RFD8P05SM9A |
| الصانع | onsemi | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | Harris Corporation |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252AA | TO-252, (D-Pak) | TO-252-3 (DPAK) | - |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 300mOhm @ 8A, 10V | 300mOhm @ 8A, 10V | - | - |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | - |
| رقم المنتج الأساسي | RFD8P | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 8A (Tc) | 8A (Tc) | 8A | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 80 nC @ 20 V | 80 nC @ 20 V | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 50 V | 50 V | 60 V | - |
| طَرد | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
قم بتنزيل أوراق بيانات RFD8P05SM PDF ووثائق onsemi لـ RFD8P05SM - onsemi.
RFD8P06Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)RFD8P05SMFairchild SemiconductorMOSFET P-CH 50V 8A TO252AARFD8P06ESMHarris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRFD8P05SM MOSHARRIS
RFD77402RF DigitalIOT 3D TOF SENSOR MODULERFD8P05SM9AS2385HARRISRFD8P05SM9AHarris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFET
RFD8P06-LESMIntelRFD4N06LSMFairchild (onsemi)
RFD8P05onsemiMOSFET P-CH 50V 8A I-PAKRFD4N06L MOSFairchild (onsemi)RFD8P06EHarris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFETRFD4N06LHarris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFD8P06LEHarris Corporation8A, 60V, 0.33OHM, P-CHANNEL POWERFD60N10Fairchild (onsemi)RFD8P03LSM96Harris CorporationRFD8P03LSM96
RFD8P05SM9A MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)
RFD77101Renesas| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.