مواصفات التكنولوجيا RFP45N06
المواصفات الفنية onsemi - RFP45N06 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - RFP45N06
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 28mOhm @ 45A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 131W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2050 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 150 nC @ 20 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 45A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | RFP45 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi RFP45N06.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RFP45N06 | RFP50N05L | RFP50N05 | RFP30P06 |
| الصانع | onsemi | onsemi | Harris Corporation | onsemi |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 150 nC @ 20 V | 140 nC @ 10 V | 160 nC @ 20 V | 170 nC @ 20 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 4V, 5V | 10V | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 45A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 30A (Tc) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 28mOhm @ 45A, 10V | 22mOhm @ 50A, 5V | 22mOhm @ 50A, 10V | 65mOhm @ 30A, 10V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| طَرد | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 50 V | 50 V | 60 V |
| رقم المنتج الأساسي | RFP45 | RFP50 | - | RFP30 |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2050 pF @ 25 V | - | - | 3200 pF @ 25 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 131W (Tc) | 110W (Tc) | 132W (Tc) | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±10V | ±20V | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220AB | TO-220-3 |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 2V @ 250µA | 4V @ 250nA | 4V @ 250µA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
قم بتنزيل أوراق بيانات RFP45N06 PDF ووثائق onsemi لـ RFP45N06 - onsemi.
RFP3055LE MOSFairchild (onsemi)RFP50N05LonsemiMOSFET N-CH 50V 50A TO220-3RFP50N05Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETRFP30N06EFairchild (onsemi)RFP30P06onsemiMOSFET P-CH 60V 30A TO220-3RFP45N06 MOSFairchild (onsemi)RFP4N05LS2515RFP30P05onsemiMOSFET P-CH 50V 30A TO220-3RFP4N05LFairchild Semiconductor4A, 50V, 0.8OHM, N-CHANNEL MOSFERFP4N100onsemiMOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3RFP30N05RFP30N06LEonsemiMOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
RFP47N10Intersil (Renesas Electronics Corporation)RFP40N10onsemiMOSFET N-CH 100V 40A TO220-3RFP30P06LEVBsemiRFP45N06Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 60V 45A TO220-3RFP4N06LVBSEMIRFP50-5CRFPOWER| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.