مواصفات التكنولوجيا RFP70N06
المواصفات الفنية onsemi - RFP70N06 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ onsemi - RFP70N06
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | onsemi | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 14mOhm @ 70A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2250 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 156 nC @ 20 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 70A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | RFP70 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ onsemi RFP70N06.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | RFP70N06 | RFP6P10 | RFP70N06 | RFP8P05 |
| الصانع | onsemi | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | onsemi |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 14mOhm @ 70A, 10V | 600mOhm @ 6A, 10V | 14mOhm @ 70A, 10V | 300mOhm @ 8A, 10V |
| رقم المنتج الأساسي | RFP70 | - | - | RFP8P |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 70A (Tc) | 6A (Tc) | 70A (Tc) | 8A (Tc) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | - |
| طَرد | Tube | Bulk | Bulk | Tube |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2250 pF @ 25 V | 800 pF @ 25 V | 2250 pF @ 25 V | - |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220AB | TO-220-3 | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 156 nC @ 20 V | - | 156 nC @ 20 V | 80 nC @ 20 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 150W (Tc) | 60W (Tc) | 150W (Tc) | - |
| نوع FET | N-Channel | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 60 V | 100 V | 60 V | 50 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات RFP70N06 PDF ووثائق onsemi لـ RFP70N06 - onsemi.
RFP70N06 MOSHARRISRFP6P10Harris CorporationP-CHANNEL POWER MOSFET
RFP70N10Intersil (Renesas Electronics Corporation)RFP60N10Fairchild (onsemi)RFP60P03 MOSFairchild (onsemi)RFP7N10LEFairchild (onsemi)RFP60P03Fairchild (onsemi)RFP70N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7RFP8P05onsemiMOSFET P-CH 50V 8A TO220-3RFP70N03onsemiMOSFET N-CH 30V 70A TO220-3RFP70N03Harris CorporationMOSFET N-CH 30V 70A TO220-3RFP8P05Fairchild SemiconductorMOSFET P-CH 50V 8A TO220-3RFP60P06Fairchild (onsemi)RFP75N75Intersil (Renesas Electronics Corporation)RFP8N18Fairchild (onsemi)RFP8N20LVBsemiRFP70N03 MOSIntersil (Renesas Electronics Corporation)RFP70N03S MOSFairchild (onsemi)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.