مواصفات التكنولوجيا 1EDN7511BXUSA1
المواصفات الفنية Infineon Technologies - 1EDN7511BXUSA1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - 1EDN7511BXUSA1
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Infineon Technologies | |
الجهد - توريد | 4.5V ~ 20V | |
تجار الأجهزة حزمة | PG-SOT23-6-2 | |
سلسلة | EiceDriver™ | |
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 6.5ns, 4.5ns | |
حزمة / كيس | SOT-23-6 | |
طَرد | Tape & Reel (TR) | |
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
تردد الإدخال | 1 |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
تصاعد نوع | Surface Mount | |
المنطق الجهد - فيل، فيه | 1.2V, 1.9V | |
نوع المدخلات | Inverting, Non-Inverting | |
نوع البوابة | N-Channel, P-Channel MOSFET | |
تكوين مدفوعة | Half-Bridge, Low-Side | |
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 4A, 8A | |
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | |
رقم المنتج الأساسي | 1EDN7511 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies 1EDN7511BXUSA1.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | 1EDN7511BXUSA1 | 1EDN8511BXUSA1 | 1EDN7512BXTSA1 | 1EDN7550B |
الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
نوع المدخلات | Inverting, Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting |
تكوين مدفوعة | Half-Bridge, Low-Side | Half-Bridge, Low-Side | Low-Side | High-Side and Low-Side |
المنطق الجهد - فيل، فيه | 1.2V, 1.9V | 1.2V, 1.9V | - | - |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
تجار الأجهزة حزمة | PG-SOT23-6-2 | PG-SOT23-6-2 | PG-SOT23-5-1 | PG-SOT23-6-3 |
نوع البوابة | N-Channel, P-Channel MOSFET | N-Channel, P-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel, P-Channel MOSFET |
سلسلة | EiceDriver™ | EiceDriver™ | EiceDriver™ | EiceDriver™ |
رقم المنتج الأساسي | 1EDN7511 | 1EDN8511 | 1EDN7512 | 1EDN7550 |
تردد الإدخال | 1 | 1 | 1 | 2 |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | Single | Single | Single |
الجهد - توريد | 4.5V ~ 20V | 8V ~ 20V | 4.5V ~ 20V | 4.5V ~ 20V |
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 6.5ns, 4.5ns | 6.5ns, 4.5ns | 6.5ns, 4.5ns | 6.5ns, 4.5ns |
حزمة / كيس | SOT-23-6 | SOT-23-6 | SC-74A, SOT-753 | SOT-23-6 |
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 4A, 8A | 4A, 8A | 4A, 8A | 4A, 8A |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1EDN7511BXUSA1 PDF ووثائق Infineon Technologies لـ 1EDN7511BXUSA1 - Infineon Technologies.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.