مواصفات التكنولوجيا AUIRFB4610
المواصفات الفنية International Rectifier - AUIRFB4610 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ International Rectifier - AUIRFB4610
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 100µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 14mOhm @ 44A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 190W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3550 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 140 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 73A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ International Rectifier AUIRFB4610.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | AUIRFB4610 | AUIRFB8407 | AUIRFB3207 | AUIRFBA1405 |
| الصانع | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 100µA | 4V @ 150µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 190W (Tc) | 230W (Tc) | 300W (Tc) | 330W (Tc) |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-273AA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 100 V | 40 V | 75 V | 55 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 73A (Tc) | 195A (Tc) | 75A (Tc) | 95A (Tc) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 140 nC @ 10 V | 225 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 14mOhm @ 44A, 10V | 2mOhm @ 100A, 10V | 4.5mOhm @ 75A, 10V | 5mOhm @ 101A, 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | SUPER-220™ (TO-273AA) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3550 pF @ 50 V | 7330 pF @ 25 V | 7600 pF @ 50 V | 5480 pF @ 25 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
AUIRFB8407Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO220ABAUIRFB4115IRAUIRFB3207Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 75A TO220ABAUIRF9952QTR.IRAUIRFBA1405Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 95A SUPER-220AUIRFI3205IR
AUIRF9Z34NInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET P CHANNELAUIRFB8405Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 120A TO220ABAUIRF9540NInternational RectifierAUTOMOTIVE POWER MOSFETAUIRFB4410International RectifierAUIRFB4410 - 75V-100V N-CHANNELAUIRFIZ34NPBFIRAUIRFBA1405 MOSIRAUIRFI3205PBFIRAUIRFB8409Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO220ABAUIRFI4905IRAUIRFB4410 MOSIR
AUIRF9952QInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SOAUIRF9952QTRPBFVBSEMI| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.