مواصفات التكنولوجيا AUIRS4428S
المواصفات الفنية Infineon Technologies - AUIRS4428S والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - AUIRS4428S
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - توريد | 6V ~ 20V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q100 | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 15ns, 25ns | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.7V | |
| نوع المدخلات | Inverting, Non-Inverting | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Low-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 2.3A, 3.3A | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | |
| رقم المنتج الأساسي | AUIRS4428 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies AUIRS4428S.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | AUIRS4428S | AUIRS2336STR | AUIRS2336S | AUIRS2301STR |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.7V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q100 | Automotive, AEC-Q100 | Automotive, AEC-Q100 | Automotive, AEC-Q100 |
| تكوين مدفوعة | Low-Side | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| رقم المنتج الأساسي | AUIRS4428 | AUIRS2336 | AUIRS2336 | AUIRS2301 |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع المدخلات | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | - |
| تردد الإدخال | 2 | 6 | 6 | 2 |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 28-SOIC | 28-SOIC | 8-SOIC |
| الجهد - توريد | 6V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 5V ~ 20V |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 2.3A, 3.3A | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | 3-Phase | 3-Phase | Independent |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 15ns, 25ns | 125ns, 50ns | 125ns, 50ns | 130ns, 50ns |
قم بتنزيل أوراق بيانات AUIRS4428S PDF ووثائق Infineon Technologies لـ AUIRS4428S - Infineon Technologies.
AUIRS2336STR.IRAUIRS2336STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICAUIRS4427SPBFSOP8AUIRS4426STRPBFIRAUIRS4428STRIRAUIRS2336SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICAUIRS2301STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
AUIRS2334SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOICAUIRS44261STRPBFIRAUIRS2336STRPBFIRAUIRS2334STRIRAUIRS2302SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICAUIRS44261STRIRAUIRS44261SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICAUIRS4427SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
AUIRS2332JInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
AUIRS4427STRInternational RectifierAUIRS4427 - GATE DRIVERAUIRS4426STRPBF.IR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.