مواصفات التكنولوجيا BSO211P
المواصفات الفنية Infineon Technologies - BSO211P والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - BSO211P
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.2V @ 25µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-DSO-8 | |
| سلسلة | OptiMOS™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 67mOhm @ 4.7A, 4.5V | |
| السلطة - ماكس | 2W | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 920pF @ 15V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 23.9nC @ 4.5V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.7A | |
| ترتيب | 2 P-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | BSO211 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies BSO211P.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | BSO211P | BSO211PH | BSO215C | BSO204P |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.7A | 4A (Ta) | 3.7A | - |
| ترتيب | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 23.9nC @ 4.5V | 10nC @ 4.5V | 11.5nC @ 10V | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-DSO-8 | 532-FCBGA (23x23) | 8-SO | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.2V @ 25µA | 1.2V @ 25µA | 2V @ 10µA | - |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tape & Reel (TR) | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | 20V | 20V | - |
| سلسلة | OptiMOS™ | OptiMOS™ P | SIPMOS® | - |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 2.5V Drive | Logic Level Gate | - |
| السلطة - ماكس | 2W | 1.6W (Ta) | 2W | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 920pF @ 15V | 1095pF @ 15V | 246pF @ 25V | - |
| رقم المنتج الأساسي | BSO211 | BSO211 | BSO215 | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 67mOhm @ 4.7A, 4.5V | 67mOhm @ 4.6A, 4.5V | 100mOhm @ 3.7A, 10V | - |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 532-BFBGA, FCBGA | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | - |
BSO204PCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO220N03MDGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200P03SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO211P HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO203SP HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200N3SINFIEONBSO220N03MSGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO220NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO201SPCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO201SP HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO207P HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO2N604LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO220N03MDCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BSO200P03SHBSO211PHInfineon Technologies3.2A, 20V, 0.067OHM, 2-ELEMENT,BSO300N03SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSOBSO215CInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOICBSO203SPInfineon TechnologiesP-CHANNEL POWER MOSFET| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.