مواصفات التكنولوجيا BUZ73A H
المواصفات الفنية Infineon Technologies - BUZ73A H والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - BUZ73A H
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-3 | |
| سلسلة | SIPMOS® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 600mOhm @ 4.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 40W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 530 pF @ 25 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies BUZ73A H.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | BUZ73A H | BUZ73A | BUZ73AL | BUZ73A |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Harris Corporation |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسلة | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 600mOhm @ 4.5A, 10V | 600mOhm @ 4.5A, 10V | 600mOhm @ 3.5A, 5V | 600mOhm @ 4.5A, 10V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 5V | 10V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 530 pF @ 25 V | 530 pF @ 25 V | 840 pF @ 25 V | 530 pF @ 25 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 2V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) | 40W (Tc) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) | 5.5A (Tc) |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET الميزة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات BUZ73A H PDF ووثائق Infineon Technologies لـ BUZ73A H - Infineon Technologies.
BUZ73L HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ77ASiemensBUZ73AInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3BUZ73ALInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3BUZ73ALHCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ73AHarris CorporationMOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
BUZ71ASTMicroelectronicsBUZ80AInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 800V 3.6A TO220ABBUZ73LInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 7A TO220-3BUZ57ASiemensIGBT ModuleBUZ74ASiemensBUZ73AL HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ72AInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETBUZ58ASiemensIGBT ModuleBUZ73 HCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ78 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ61ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)BUZ72LCypress Semiconductor (Infineon Technologies)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.