مواصفات التكنولوجيا IDH08S120AKSA1
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IDH08S120AKSA1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IDH08S120AKSA1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.8 V @ 7.5 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-2-2 | |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| سلسلة | CoolSiC™+ | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 180 µA @ 1200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 7.5A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 380pF @ 1V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | IDH08S |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IDH08S120AKSA1.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IDH08S120AKSA1 | IDH08S120 | IDH08G65C6XKSA1 | IDH06SG60C D06G60C |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns | 0 ns | 0 ns | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.8 V @ 7.5 A | 1.8 V @ 7.5 A | 1.35 V @ 8 A | - |
| رقم المنتج الأساسي | IDH08S | - | IDH08G65 | - |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2 | PG-TO220-2 | - |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | - |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | - |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 380pF @ 1V, 1MHz | 380pF @ 1V, 1MHz | 401pF @ 1V, 1MHz | - |
| سلسلة | CoolSiC™+ | - | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 180 µA @ 1200 V | 180 µA @ 1200 V | 27 µA @ 420 V | - |
| طَرد | Tube | Bulk | Tube | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 7.5A | 7.5A | 20A | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | 1200 V | 650 V | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات IDH08S120AKSA1 PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IDH08S120AKSA1 - Infineon Technologies.
IDH06SG60C D06G60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G120C5 D1012C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08SG60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08G65C6XKSA2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH08SG60CXKSA2InfineonIDH08S120Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 1.2KV 7.5A TO220IDH08G65C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH06SG60CXKSA2InfineonIDH10G120C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH09SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH08G65C6XKSA1Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2IDH09SG60C 09G60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08G65C5XKSA2InfineonIDH08G120C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.