مواصفات التكنولوجيا IDH10G65C6XKSA1
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IDH10G65C6XKSA1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IDH10G65C6XKSA1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.35 V @ 10 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-2 | |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 33 µA @ 420 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 24A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 495pF @ 1V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | IDH10G65 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IDH10G65C6XKSA1.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IDH10G65C6XKSA1 | IDH10SG60C | IDH10S60C | IDH10SG60C D10G60C |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | INFINE0N |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 495pF @ 1V, 1MHz | 290pF @ 1V, 1MHz | - | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.35 V @ 10 A | 2.1 V @ 10 A | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | IDH10G65 | - | - | - |
| سلسلة | - | CoolSiC™+ | - | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | 600 V | - | - |
| سرعة | No Recovery Time > 500mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | - | - |
| تكنولوجيا | SiC (Silicon Carbide) Schottky | SiC (Silicon Carbide) Schottky | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-2 | PG-TO220-2-2 | - | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | - | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 24A | 10A | - | - |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | TO-220-2 | - | - |
| طَرد | Tube | Bulk | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 33 µA @ 420 V | 90 µA @ 600 V | - | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 0 ns | 0 ns | - | - |
IDH10S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH10SG60C D10G60CINFINE0NIDH12G65C5 D1265C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C5ZInfineonIDH10SG60CInfineon TechnologiesDIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2IDH10G120C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12G65C6Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH09SG60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH10G65C6INEINEONIDH10S120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDH10G120C5 D1012C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH08SG60CXKSA2InfineonIDH09SG60C 09G60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH10G65C5 D1065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12G65C5XKSA2InfineonIDH12G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDH12S60CCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.