مواصفات التكنولوجيا IDP20E65D2XKSA1
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IDP20E65D2XKSA1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IDP20E65D2XKSA1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 2.2 V @ 20 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-2-1 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 32 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -40°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 40 µA @ 650 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 40A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | IDP20E65 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IDP20E65D2XKSA1.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IDP20E65D2XKSA1 | IDP23E60 | IDP15E60 | IDP15E60XKSA1 |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -40°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-2-1 | PG-TO220-2-2 | PG-TO220-2 | PG-TO220-2-2 |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 40A | 41A | 29.2A | 29.2A |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| سلسلة | - | - | IDP | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 32 ns | 120 ns | 87 ns | 87 ns |
| رقم المنتج الأساسي | IDP20E65 | IDP23E | - | IDP15 |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 2.2 V @ 20 A | 2 V @ 23 A | 2 V @ 15 A | 2 V @ 15 A |
| طَرد | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 40 µA @ 650 V | 50 µA @ 600 V | 50 µA @ 600 V | 50 µA @ 600 V |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
قم بتنزيل أوراق بيانات IDP20E65D2XKSA1 PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IDP20E65D2XKSA1 - Infineon Technologies.
IDP2301Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP20C65D2XKSA1InfineonIDP12E120 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IDP2303XUMA1Infineon TechnologiesIC OFFLINE SW HALF-BRDG 16DSOIDP18E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDP23E60Infineon TechnologiesDIODE GP 600V 41A TO220-2-2IDP30C65D2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP15E60Infineon TechnologiesDIODE GP 600V 29.2A TO220-2IDP2308Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP2303AInfineonIDP12E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDP2301-3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP18E120XKSA1InfineonIDP12E120XKSA1InfineonIDP2303AXUMA1InfineonIDP15E60XKSA1Infineon TechnologiesDIODE GP 600V 29.2A TO220-2-2
IDP30C65D2XKSA1Infineon TechnologiesDIODE 650V 30A RAPID2 TO220-3IDP15E65D1Infineon| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.