مواصفات التكنولوجيا IDP30E120XKSA1
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IDP30E120XKSA1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IDP30E120XKSA1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 2.15 V @ 30 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-2-2 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 243 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-2 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 1200 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 50A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | |
| رقم المنتج الأساسي | IDP30E120 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IDP30E120XKSA1.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IDP30E120XKSA1 | IDP40E65D2XKSA1 | IDP23E60 | IDP30E60 |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 50A | 40A | 41A | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 1200 V | 40 µA @ 650 V | 50 µA @ 600 V | - |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | - |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 243 ns | 75 ns | 120 ns | - |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-2-2 | TO-220-2 | PG-TO220-2-2 | - |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 2.15 V @ 30 A | 2.3 V @ 40 A | 2 V @ 23 A | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-220-2 | TO-220-2 | TO-220-2 | - |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 1200 V | 650 V | 600 V | - |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -40°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | - |
| رقم المنتج الأساسي | IDP30E120 | IDP40E65 | IDP23E | - |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات IDP30E120XKSA1 PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IDP30E120XKSA1 - Infineon Technologies.
IDP45E60/D45E60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP2303AXUMA1InfineonIDP30E120 D30E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP45E60 D45E60
IDP30C65D2XKSA1Infineon TechnologiesDIODE 650V 30A RAPID2 TO220-3IDP40E65D2XKSA1Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2IDP23E60Infineon TechnologiesDIODE GP 600V 41A TO220-2-2IDP30E65D1Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP40E65D2IDP30C65D2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP2301-3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDP45E60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDP30E60Infineon TechnologiesIDP30E60 - SILICON POWER DIODEIDP30E120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDP2303AInfineonIDP2308Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
IDP2303XUMA1Infineon TechnologiesIC OFFLINE SW HALF-BRDG 16DSOIDP2301Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.