مواصفات التكنولوجيا IDW40E65D1
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IDW40E65D1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IDW40E65D1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 40 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO247-3-1 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 129 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -40°C ~ 175°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 40 µA @ 650 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 80A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IDW40E65D1.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IDW40E65D1 | IDW40E65D2 | IDW30G65C5XKSA1 | IDW30E65D1 |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 40 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V | 220 µA @ 650 V | 40 µA @ 650 V |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 129 ns | 75 ns | 0 ns | 115 ns |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 80A | 80A | 30A | 60A |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO247-3-1 | PG-TO247-3 | PG-TO247-3 | PG-TO247-3-1 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 650 V | 650 V | 650 V | 650 V |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.7 V @ 40 A | 2.3 V @ 40 A | 1.7 V @ 30 A | 1.7 V @ 30 A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | - | - | 860pF @ 1V, 1MHz | - |
| سلسلة | - | IDW | CoolSiC™+ | - |
IDW40G120C5B/D4012B5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G120C5B D4012B5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30E65D1FKSA1InfineonIDW40G65C5 D4065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30G120C5BCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G120C5BIDW40G120CB5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30G65C5/D3065C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30G65C5InfineonIDW40E65D2Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 650V 80A TO247-3IDW30G65C5XKSA1Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3IDW30S120/D30S120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30E65D1Infineon TechnologiesDIODE GP 650V 60A TO247-3-1IDW40G65C5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIDW40E65D2 E40ED2Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW40G120C5BFKSA1Infineon TechnologiesDIODE GEN PURP 1200V 55A TO247-3IDW30E60A/D30E60ACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IDW30S120Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT Module| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.