مواصفات التكنولوجيا IGP50N60T
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IGP50N60T والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IGP50N60T
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2V @ 15V, 50A | |
| اختبار حالة | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 26ns/299ns | |
| تحويل الطاقة | 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-3-1 | |
| سلسلة | TRENCHSTOP™ | |
| السلطة - ماكس | 333 W |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| نوع المدخلات | Standard | |
| نوع IGBT | Trench Field Stop | |
| بوابة المسؤول | 310 nC | |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 150 A | |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 90 A |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IGP50N60T.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IGP50N60T | IGP03N120H2 | IGP30N65H5XKSA1 | IGP01N120H2 |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| تحويل الطاقة | 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) | 290µJ | 280µJ (on), 100µJ (off) | 140µJ |
| نوع المدخلات | Standard | Standard | Standard | Standard |
| نوع IGBT | Trench Field Stop | - | Trench | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس) | 90 A | 9.6 A | 55 A | 3.2 A |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس) | 600 V | 1200 V | 650 V | 1200 V |
| اختبار حالة | 400V, 50A, 7Ohm, 15V | 800V, 3A, 82Ohm, 15V | 400V, 15A, 23Ohm, 15V | 800V, 1A, 241Ohm, 15V |
| السلطة - ماكس | 333 W | 62.5 W | 188 W | 28 W |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3-1 | PG-TO220-3 | PG-TO220-3-1 |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم | 2V @ 15V, 50A | 2.8V @ 15V, 3A | 2.1V @ 15V, 30A | 2.8V @ 15V, 1A |
| سلسلة | TRENCHSTOP™ | - | TrenchStop™ | - |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C | 26ns/299ns | 9.2ns/281ns | 19ns/177ns | 13ns/370ns |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم) | 150 A | 9.9 A | 90 A | 3.5 A |
| بوابة المسؤول | 310 nC | 22 nC | 70 nC | 8.6 nC |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
IGP128NVIDIAIGP20N65F5 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP30N65H5Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP06N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP03N120H2Infineon TechnologiesIGBT, 9.6A, 1200V, N-CHANNELIGP15N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP06N60T G06T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP30N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH 650V 55A TO220-3IGP15N60T G15T60Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP30N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGBT ModuleIGP01N120H2Infineon TechnologiesPOWER BIPOLAR TRANSISTOR NPNIGP20N60H3Infineon TechnologiesIGP20N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTIGP30N65F5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT TRENCH 650V 55A TO220-3IGP03N120H2 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP50N60TXKSA1InfineonIGP30N60H3Infineon TechnologiesIGP30N60 - DISCRETE IGBT WITHOUTIGP10N60TCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IGP20N65H5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT 650V 42A TO220-3| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.