مواصفات التكنولوجيا IPDH6N03LAG
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IPDH6N03LAG والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IPDH6N03LAG
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 30µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO252-3-11 | |
| سلسلة | OptiMOS™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 6mOhm @ 50A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 71W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2390 pF @ 15 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 19 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 25 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 50A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IPDH6 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IPDH6N03LAG.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IPDH6N03LAG | IPDH4N03LAG | IPDD60R080G7XTMA1 | IPDH5N03LG |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) | |
| رقم المنتج الأساسي | IPDH6 | IPDH4 | - | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 71W (Tc) | 94W (Tc) | - | - |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | - | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| سلسلة | OptiMOS™ | OptiMOS™ | - | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 19 nC @ 5 V | 26 nC @ 5 V | - | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 6mOhm @ 50A, 10V | 4.2mOhm @ 60A, 10V | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2390 pF @ 15 V | 3200 pF @ 15 V | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 30µA | 2V @ 40µA | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO252-3-11 | PG-TO252-3-11 | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 50A (Tc) | 90A (Tc) | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 25 V | 25 V | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات IPDH6N03LAG PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IPDH6N03LAG - Infineon Technologies.
IPDD60R080G7XTMA1IPDH5N03LGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPDD60R150G7XTMA1InfineonIPD95R2K0P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPDH6N03LAG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPDH5N03LAGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPDH9N03LAGCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPDH4N03LACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPD95R2K0P7ATMA1InfineonIPD95R450P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPDD60R050G7XTMA1InfineonIPDH9N03LAG MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPDD60R050G7InfineonIPDH4N03LAGInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 90A TO252-3IPDD60R102G7XTMA1IPDH5N03LACypress Semiconductor (Infineon Technologies)IPDD60R190G7XTMA1InfineonIPD95R750P7Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.