مواصفات التكنولوجيا IR2101S
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IR2101S والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IR2101S
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - توريد | 10V ~ 20V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 100ns, 50ns | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 3V | |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 210mA, 360mA | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | |
| رقم المنتج الأساسي | IR2101 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IR2101S.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IR2101S | IR2101PBF | IR2102S | IR21014 |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | Non-Inverting | Inverting | Non-Inverting |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 100ns, 50ns | 100ns, 50ns | 100ns, 50ns | 100ns, 50ns |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| رقم المنتج الأساسي | IR2101 | IR2101 | IR2102 | IR21014 |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-PDIP | 8-SOIC | 14-DIP |
| الجهد - توريد | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | Independent | Independent | Independent |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 210mA, 360mA | 210mA, 360mA | 210mA, 360mA | 210mA, 360mA |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 14-DIP (0.300', 7.62mm) |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3V |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال | 2 | 2 | 2 | 2 |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
قم بتنزيل أوراق بيانات IR2101S PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IR2101S - Infineon Technologies.
IR2101P1IRIR2101PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR2102SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR20CJQ60IRIR2086STRIRIR21014Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIPIR2092SIR2101DIRIR2102PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIPIR2102Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
IR2086STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOICIR2101Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
IR2101STRPBECypress Semiconductor (Infineon Technologies)IR2101STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2101SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2101TRIRIR2101STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIR2101STRPBF.IR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.