مواصفات التكنولوجيا IR2118STR
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IR2118STR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IR2118STR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - توريد | 10V ~ 20V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 80ns, 40ns | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 1 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 6V, 9.5V | |
| نوع المدخلات | Inverting | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | High-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 250mA, 500mA | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | |
| رقم المنتج الأساسي | IR2118 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IR2118STR.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IR2118STR | IR2118STRPBF | IR2121 | IR2118SPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| نوع المدخلات | Inverting | Inverting | Non-Inverting | Inverting |
| الجهد - توريد | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 12V ~ 18V | 10V ~ 20V |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 1.6A, 3.3A | 250mA, 500mA |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | Single | Single | Single |
| رقم المنتج الأساسي | IR2118 | IR2118 | IR2121 | IR2118 |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| تردد الإدخال | 1 | 1 | 1 | 1 |
| تكوين مدفوعة | High-Side | High-Side | Low-Side | High-Side |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-SOIC | 8-PDIP | 8-SOIC |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | 600 V | - | 600 V |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 6V, 9.5V | 6V, 9.5V | 0.8V, 2.2V | 6V, 9.5V |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 43ns, 26ns | 80ns, 40ns |
قم بتنزيل أوراق بيانات IR2118STR PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IR2118STR - Infineon Technologies.
IR2118STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2121Infineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IR2117SIRIR2118SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2117STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2122Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2125Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2118PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2118STRPBF.IRIR2117SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2121PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIR2122SIRIR2125PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2117STRInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIR2117STRPBF.IR
IR2125SInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOICIR2118Infineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIR2118SIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.