مواصفات التكنولوجيا IRF1902TRPBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF1902TRPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF1902TRPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 700mV @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±12V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 85mOhm @ 4A, 4.5V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta) | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 310 pF @ 15 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 7.5 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.7V, 4.5V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF1902TRPBF.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF1902TRPBF | IRF1902GTRPBF | IRF1704 | IRF200P222 |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| فغس (ماكس) | ±12V | - | ±20V | ±20V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 2.7V, 4.5V | - | 10V | 10V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | 20 V | 40 V | 200 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 4.2A (Ta) | 4.2A (Ta) | 170A (Tc) | 182A (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 200°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 7.5 nC @ 4.5 V | 7.5 nC @ 4.5 V | 260 nC @ 10 V | 203 nC @ 10 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta) | - | 230W (Tc) | 556W (Tc) |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-220-3 | TO-247-3 |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 700mV @ 250µA | 700mV @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 270µA |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 85mOhm @ 4A, 4.5V | 85mOhm @ 4A, 4.5V | 4mOhm @ 100A, 10V | 6.6mOhm @ 82A, 10V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 310 pF @ 15 V | 310 pF @ 15 V | 6950 pF @ 25 V | 9820 pF @ 50 V |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | StrongIRFET™ |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | 8-SO | TO-220AB | TO-247AC |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF1902TRPBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF1902TRPBF - Infineon Technologies.
IRF1640IRIRF1902GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIRF1704Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 170A TO220ABIRF200P222Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 182A TO247ACIRF1704 MOSIRIRF2002IRIRF1902UTRPBFIR
IRF200S234International RectifierIRF200S - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF1730GIRIRF1902TRIRIRF1705HARIRF200B211Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 12A TO220ABIRF1902 MOSIRFIRF200P223Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 100A TO247ACIRF200S234 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF200P223 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF2001IRIRF1902IR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.