مواصفات التكنولوجيا IRF2805LPBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF2805LPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF2805LPBF
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Infineon Technologies | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±20V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | TO-262 | |
سلسلة | HEXFET® | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 4.7mOhm @ 104A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 200W (Tc) | |
حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
طَرد | Tube |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Through Hole | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 5110 pF @ 25 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 230 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 55 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 135A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF2805LPBF.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | IRF2805LPBF | IRF2805PBF | IRF2804STRRPBF | IRF2805STRRPBF |
الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
طَرد | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
تبديد الطاقة (ماكس) | 200W (Tc) | 330W (Tc) | 300W (Tc) | 200W (Tc) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
تجار الأجهزة حزمة | TO-262 | TO-220AB | D2PAK | D2PAK |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 4.7mOhm @ 104A, 10V | 4.7mOhm @ 104A, 10V | 2mOhm @ 75A, 10V | 4.7mOhm @ 104A, 10V |
تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 55 V | 55 V | 40 V | 55 V |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 135A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 135A (Tc) |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 5110 pF @ 25 V | 5110 pF @ 25 V | 6450 pF @ 25 V | 5110 pF @ 25 V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 230 nC @ 10 V | 230 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 230 nC @ 10 V |
FET الميزة | - | - | - | - |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF2805LPBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF2805LPBF - Infineon Technologies.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.