مواصفات التكنولوجيا IRF3415SPBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF3415SPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF3415SPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 42mOhm @ 22A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2400 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 200 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 43A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF3415SPBF.
| سمة المنتج |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF3415SPBF | IRF350 | IRF3415S | IRF3415PBF |
| الصانع | Infineon Technologies | NTE Electronics, Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 200 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 43A (Tc) | 14A (Tc) | 43A (Tc) | 43A (Tc) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 150W (Tc) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) | 200W (Tc) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2400 pF @ 25 V | 2600 pF @ 25 V | 2400 pF @ 25 V | 2400 pF @ 25 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 42mOhm @ 22A, 10V | 400mOhm @ 14A, 10V | 42mOhm @ 22A, 10V | 42mOhm @ 22A, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | 400 V | 150 V | 150 V |
| حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-204AA, TO-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| طَرد | Tube | Bag | Tube | Tube |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| سلسلة | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | TO-3 | D2PAK | TO-220AB |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF3415SPBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF3415SPBF - Infineon Technologies.
IRF350NTE Electronics, IncMOSFET N-CH 400V 14A TO3IRF350RIRF3355IRIRF3415S MOSIRIRF3410VBSEMI
IRF3500Qualcomm
IRF3502AMTRPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF3415 PHLIRIRF3415LPBFIRIRF3415IRIRF3504SIRIRF3415STRPBFIRIRF3415SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 43A D2PAKIRF3415PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 43A TO220ABIRF3415STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 43A D2PAKIRF3415PBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF342IRF3416IR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.