مواصفات التكنولوجيا IRF6633TR1
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF6633TR1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF6633TR1
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Infineon Technologies | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.2V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±20V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | DIRECTFET™ MP | |
سلسلة | HEXFET® | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 5.6mOhm @ 16A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | |
حزمة / كيس | DirectFET™ Isometric MP | |
طَرد | Tape & Reel (TR) |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1250 pF @ 10 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 17 nC @ 4.5 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 16A (Ta), 59A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF6633TR1.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | IRF6633TR1 | IRF6635 | IRF6631TR1PBF | IRF6635TRPBF |
الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 16A (Ta), 59A (Tc) | 32A (Ta), 180A (Tc) | 13A (Ta), 57A (Tc) | 32A (Ta), 180A (Tc) |
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
حزمة / كيس | DirectFET™ Isometric MP | DirectFET™ Isometric MX | DirectFET™ Isometric SQ | DirectFET™ Isometric MX |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
تجار الأجهزة حزمة | DIRECTFET™ MP | DIRECTFET™ MX | DIRECTFET™ SQ | DIRECTFET™ MX |
تبديد الطاقة (ماكس) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) | 2.2W (Ta), 42W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 5.6mOhm @ 16A, 10V | 1.8mOhm @ 32A, 10V | 7.8mOhm @ 13A, 10V | 1.8mOhm @ 32A, 10V |
طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20 V | 30 V | 30 V | 30 V |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1250 pF @ 10 V | 5970 pF @ 15 V | 1450 pF @ 15 V | 5970 pF @ 15 V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 17 nC @ 4.5 V | 71 nC @ 4.5 V | 18 nC @ 4.5 V | 71 nC @ 4.5 V |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
FET الميزة | - | - | - | - |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.2V @ 250µA | 2.35V @ 250µA | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 250µA |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF6633TR1 PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF6633TR1 - Infineon Technologies.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.