مواصفات التكنولوجيا IRF7103PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF7103PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF7103PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 130mOhm @ 3A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 2W | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 290pF @ 25V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30nC @ 10V | |
| FET الميزة | - | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 50V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF71 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF7103PBF.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF7103PBF | IRF7102 | IRF7103TRPBF | IRF7103Q |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| السلطة - ماكس | 2W | 2W | 2W | 2.4W |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| طَرد | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 50V | 50V | 50V | 50V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 290pF @ 25V | 120pF @ 25V | 290pF @ 25V | 255pF @ 25V |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 30nC @ 10V | 6.6nC @ 10V | 30nC @ 10V | 15nC @ 10V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 130mOhm @ 3A, 10V | 300mOhm @ 1.5A, 10V | 130mOhm @ 3A, 10V | 130mOhm @ 3A, 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 3A | 2A | 3A | 3A |
| رقم المنتج الأساسي | IRF71 | IRF71 | IRF71 | IRF71 |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF7103PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF7103PBF - Infineon Technologies.
IRF7102TRIRIRF7102Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOICIRF7103QTRIRIRF7102TRPBFVBSEMIIRF7101TRPBF.IRIRF7103QTRPBF MOSIRIRF7103TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOICIRF7103ITRPBFVBSEMIIRF7103QInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOICIRF7103UTRPBFVBSEMIIRF7103ITRPBF.IRIRF7103QPBFIRIRF7103IRIRF7103QTRPBF.IRIRF7103QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOICIRF7103TRIRFIRF7101TRPBF MOSIRIRF7101TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.