مواصفات التكنولوجيا IRF7311TRPBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF7311TRPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF7311TRPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 700mV @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 29mOhm @ 6A, 4.5V | |
| السلطة - ماكس | 2W | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 900pF @ 15V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 27nC @ 4.5V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 6.6A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF731 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF7311TRPBF.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF7311TRPBF | IRF7311TR | IRF7313PBF | IRF7313QTRPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 29mOhm @ 6A, 4.5V | 29mOhm @ 6A, 4.5V | 29mOhm @ 5.8A, 10V | 29mOhm @ 5.8A, 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 27nC @ 4.5V | 27nC @ 4.5V | 33nC @ 10V | 33nC @ 10V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| رقم المنتج الأساسي | IRF731 | IRF731 | IRF731 | IRF731 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | 20V | 30V | 30V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 6.6A | 6.6A | 6.5A | 6.5A |
| السلطة - ماكس | 2W | 2W | 2W | 2W |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 900pF @ 15V | 900pF @ 15V | 650pF @ 25V | 650pF @ 25V |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 700mV @ 250µA | 700mV @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Cut Tape (CT) |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF7311TRPBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF7311TRPBF - Infineon Technologies.
IRF7313QTRPBF.IRIRF731Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFET
IRF730S MOSFairchild (onsemi)IRF7313QInfineonIRF7311TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7311IRIRF7313IR
IRF730STRRPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAKIRF7313PBF-1IRIRF7311TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOICIRF730STRPBFIRIRF7313PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFET
IRF730PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRF730SVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAKIRF7311TR MOSIRIRF7313QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOICIRF7313 MOSIRIRF7313QPBFIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.