مواصفات التكنولوجيا IRF7335D1TR
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF7335D1TR والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF7335D1TR
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 14-SOIC | |
| سلسلة | FETKY™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 17.5mOhm @ 10A, 4.5V | |
| السلطة - ماكس | 2W | |
| حزمة / كيس | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1500pF @ 15V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 20nC @ 4.5V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 10A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF733 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF7335D1TR.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF7335D1TR | IRF7331TRPBF | IRF7331TRPBF-1 | IRF7338PBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 10A | 7A | 7A (Ta) | 6.3A, 3A |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 20nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V | 20nC @ 4.5V | 8.6nC @ 4.5V |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| رقم المنتج الأساسي | IRF733 | IRF733 | IRF733 | IRF733 |
| السلطة - ماكس | 2W | 2W | 2W (Ta) | 2W |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| سلسلة | FETKY™ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1500pF @ 15V | 1340pF @ 16V | 1340pF @ 16V | 640pF @ 9V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 17.5mOhm @ 10A, 4.5V | 30mOhm @ 7A, 4.5V | 30mOhm @ 7A, 4.5V | 34mOhm @ 6A, 4.5V |
| تجار الأجهزة حزمة | 14-SOIC | 8-SO | 8-SOIC | 8-SO |
| حزمة / كيس | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30V | 20V | 20V | 12V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF7335D1TR PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF7335D1TR - Infineon Technologies.
IRF7336D1TRIRIRF7336D1IRIRF7335D1TRPBF.IRIRF7335IRIRF7331TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOICIRF7331TRPBF-1Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOICIRF7338TRPBF MOSIRFIRF7331PBF MOSIRIRF7335D1TRPBFIRIRF7338PBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOICIRF7338TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOICIRF7335D1PBFIRIRF7338IRIRF7338TRIR
IRF7331TRPBFPhilips7A, 20V, N CHANNEL, MOSFETIRF7331TRPBF MOSIRIRF7335D1IRIRF7331TRPBF.IR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.