مواصفات التكنولوجيا IRF7805TRPBF
المواصفات الفنية International Rectifier - IRF7805TRPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ International Rectifier - IRF7805TRPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±12V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 11mOhm @ 7A, 4.5V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta) | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Bulk | |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 31 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 13A (Ta) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ International Rectifier IRF7805TRPBF.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF7805TRPBF | IRF7805ZPBF | IRF7805APBF | IRF7805QTRPBF |
| الصانع | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 3V @ 250µA | 2.25V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 31 nC @ 5 V | 27 nC @ 4.5 V | 31 nC @ 5 V | 31 nC @ 5 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 6.8mOhm @ 16A, 10V | 11mOhm @ 7A, 4.5V | 11mOhm @ 7A, 4.5V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V | 4.5V, 10V | 4.5V | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 13A (Ta) | 16A (Ta) | 13A (Ta) | 13A (Ta) |
| فغس (ماكس) | ±12V | ±20V | ±12V | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | - |
| طَرد | Bulk | Tube | Tube | Cut Tape (CT) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
IRF7805ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 16A 8SOIRF7805APBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7805QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICIRF7805IRIRF7805ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 16A 8SOIRF7805ATRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7807Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SOIRF7805ZGTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 16A 8SOIRF7805ZPBF MOSIRIRF7805ATRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7805QIR
IRF7805TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRF7805TRIRIRF7805PBF MOSIRIRF7805PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 13A 8SOIRF7807AVTRPBFIRIRF7805ZTRIRIRF7807ATRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.