مواصفات التكنولوجيا IRF8915
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF8915 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF8915
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V | |
| السلطة - ماكس | 2W | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 540pF @ 10V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 7.4nC @ 4.5V | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 8.9A | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRF89 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF8915.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF8915 | IRF8910GTRPBF | IRF8910TRPBF | IRF8915TR |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 8.9A | 10A | 10A | 8.9A |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 7.4nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V | 11nC @ 4.5V | 7.4nC @ 4.5V |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 540pF @ 10V | 960pF @ 10V | 960pF @ 10V | 540pF @ 10V |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.5V @ 250µA | 2.55V @ 250µA | 2.55V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| السلطة - ماكس | 2W | 2W | 2W | 2W |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | 20V | 20V | 20V |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V | 13.4mOhm @ 10A, 10V | 13.4mOhm @ 10A, 10V | 18.3mOhm @ 8.9A, 10V |
| رقم المنتج الأساسي | IRF89 | IRF89 | IRF89 | IRF89 |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF8915 PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF8915 - Infineon Technologies.
IRF8910IRIRF8910TR MOSIRIRF8915TRPBF MOSIRIRF8910GTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICIRF8910TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICIRF8N60-Z9IRIRF8910TRMO&UIRF901D1TRPBFIRIRF8915UTRPBFIRIRF8915TRInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOICIRF8915PBFCT-NDIR
IRF8F20STRLPBFElectro-Films (EFI) / VishayIRF901D1IRIRF8915TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SOIRF8910PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOICIRF8910GPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIRF8910TRPBF MOSIRFIRF8910GTRPBF MOSIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.