مواصفات التكنولوجيا IRF9333PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRF9333PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRF9333PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.4V @ 25µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 19.4mOhm @ 9.2A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta) | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1110 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 38 nC @ 10 V | |
| نوع FET | P-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 9.2A (Ta) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRF9333PBF.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRF9333PBF | IRF9335PBF | IRF9328PBF | IRF9333TRPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 9.2A (Ta) | 5.4A (Ta) | 12A (Tc) | 9.2A (Ta) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 19.4mOhm @ 9.2A, 10V | 59mOhm @ 5.4A, 10V | 11.9mOhm @ 12A, 10V | 19.4mOhm @ 9.2A, 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 38 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 52 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.4V @ 25µA | 2.4V @ 10µA | 2.4V @ 25µA | 2.4V @ 25µA |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1110 pF @ 25 V | 386 pF @ 25 V | 1680 pF @ 25 V | 1110 pF @ 25 V |
| طَرد | Tube | Bulk | Tube | Tape & Reel (TR) |
| نوع FET | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SO | 8-SO | 8-SO | 8-SO |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRF9333PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRF9333PBF - Infineon Technologies.
IRF9332IRIRF9335TRIRIRF9335PBFInternational RectifierAUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWEIRF9328PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 12A 8SOIRF9333TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 9.2A 8SOIRF9332TRPBF MOSIRIRF9335TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 5.4A 8SOIRF9333TRPBF MOSIRIRF9328TRPBF MOSIRIRF9328TRPBF.N/AIRF9335TRPBF MOSIRFIRF9332PBF MOSIRIRF9328TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 12A 8SOIRF9333IRIRF9358PBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOICIRF9358IRIRF9332TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIRF9335PBF MOSIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.