مواصفات التكنولوجيا IRFB3307
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRFB3307 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRFB3307
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 150µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 6.3mOhm @ 75A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 250W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 5150 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 180 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 75 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 130A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRFB3307.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFB3307 | IRFB3307ZPBF | IRFB3307PBF | IRFB33N15D |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA | 5.5V @ 250µA |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 75 V | 75 V | 75 V | 150 V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 6.3mOhm @ 75A, 10V | 5.8mOhm @ 75A, 10V | 6.3mOhm @ 75A, 10V | 56mOhm @ 20A, 10V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 5150 pF @ 50 V | 4750 pF @ 50 V | 5150 pF @ 50 V | 2020 pF @ 25 V |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 250W (Tc) | 230W (Tc) | 200W (Tc) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 180 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 180 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 130A (Tc) | 120A (Tc) | 130A (Tc) | 33A (Tc) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFB3307 PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRFB3307 - Infineon Technologies.
IRFB3307ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
IRFB3307ZIRIRFB32N20IRIRFB3306PBF MXIRIRFB3307PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 130A TO220ABIRFB32N20DIRIRFB33N15D MOSIRIRFB3256IRIRFB3307PBF.IRIRFB33N15DInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 33A TO220ABIRFB3307ZGPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220ABIRFB3307ZGIRIRFB3306PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A TO220ABIRFB3306GIRIRFB3306GPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 120A TO220ABIRFB3307GIR/VISHAYIRFB3306IR
IRFB3256PBFInternational RectifierIRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.