مواصفات التكنولوجيا IRFB3607GPBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRFB3607GPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRFB3607GPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 100µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 9mOhm @ 46A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 140W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3070 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 84 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 75 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRFB3607GPBF.
| سمة المنتج |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFB3607GPBF | IRFB4019PBF | IRFB3507PBF | IRFB33N15DPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| سلسلة | HEXFET® | - | HEXFET® | HEXFET® |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 84 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 90 nC @ 10 V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 9mOhm @ 46A, 10V | 95mOhm @ 10A, 10V | 8.8mOhm @ 58A, 10V | 56mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 140W (Tc) | 80W (Tc) | 190W (Tc) | 3.8W (Ta), 170W (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 75 V | 150 V | 75 V | 150 V |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±30V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 80A (Tc) | 17A (Tc) | 97A (Tc) | 33A (Tc) |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB | TO-220AB |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 3070 pF @ 50 V | 800 pF @ 50 V | 3540 pF @ 50 V | 2020 pF @ 25 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 100µA | 4.9V @ 50µA | 4V @ 100µA | 5.5V @ 250µA |
| FET الميزة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFB3607GPBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRFB3607GPBF - Infineon Technologies.
IRFB38N20DIRIRFB3607SIRIRFB3407ZIRIRFB3607GIRIRFB4019PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 17A TO220ABIRFB3607Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFB3507PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 97A TO220ABIRFB33N15DPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 150V 33A TO220ABIRFB3415IRIRFB3607PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 80A TO220ABIRFB3407ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 120A TO220ABIRFB38N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 43A TO220ABIRFB3806IRIRFB3507Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 97A TO220ABIRFB3507PBF MOSIRIRFB4019PBF MOSIRIRFB3806PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 43A TO220ABIRFB4019IR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.