مواصفات التكنولوجيا IRFP4232PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRFP4232PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRFP4232PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AC | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 35.7mOhm @ 42A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 430W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Bag |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 7290 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 240 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRFP4232PBF.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFP4232PBF | IRFP4321PBF | IRFP4310ZPBF | IRFP4229PBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 430W (Tc) | 310W (Tc) | 280W (Tc) | 310W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 60A (Tc) | 78A (Tc) | 120A (Tc) | 44A (Tc) |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 35.7mOhm @ 42A, 10V | 15.5mOhm @ 33A, 10V | 6mOhm @ 75A, 10V | 46mOhm @ 26A, 10V |
| طَرد | Bag | Tube | Tube | Tube |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 240 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±30V | ±20V | ±30V |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 7290 pF @ 25 V | 4460 pF @ 25 V | 6860 pF @ 50 V | 4560 pF @ 25 V |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | 150 V | 100 V | 250 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 150µA | 5V @ 250µA |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFP4232PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRFP4232PBF - Infineon Technologies.
IRFP4227IRIRFP4310PBFIRIRFP4242IRIRFP4242PBF MOSIR
IRFP4310InfineonIRFP4321IRIRFP4229IRIRFP4321PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 78A TO247ACIRFP4310ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 120A TO247ACIRFP4229PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 44A TO247ACIRFP4242PBFIR/MEXICOIRFP4137PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 38A TO247ACIRFP4232IRIRFP4229NPBFCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFP4228PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 78A TO247ACIRFP4227PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 65A TO247ACIRFP4310ZIRIRFP4137IR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.