مواصفات التكنولوجيا IRFP4668PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRFP4668PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRFP4668PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AC | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 9.7mOhm @ 81A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 520W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 10720 pF @ 50 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 241 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 130A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | IRFP4668 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRFP4668PBF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFP4668PBF | IRFP460PBF | IRFP460PBF | IRFP460LC |
| الصانع | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tube |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 10720 pF @ 50 V | 4200 pF @ 25 V | 4200 pF @ 25 V | 3600 pF @ 25 V |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 520W (Tc) | 280W (Tc) | 280W (Tc) | 280W (Tc) |
| رقم المنتج الأساسي | IRFP4668 | IRFP460 | IRFP460 | IRFP460 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 200 V | 500 V | 500 V | 500 V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 130A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 9.7mOhm @ 81A, 10V | 270mOhm @ 12A, 10V | 270mOhm @ 12A, 10V | 270mOhm @ 12A, 10V |
| سلسلة | HEXFET® | - | HEXFET® | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 241 nC @ 10 V | 210 nC @ 10 V | 210 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±20V | ±20V | ±30V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC | TO-247AC |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFP4668PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRFP4668PBF - Infineon Technologies.
IRFP4768IRIRFP460PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3IRFP460PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 500V 20A TO247ACIRFP4868IRIRFP460LCVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3IRFP460ZIR
IRFP470IXYSMOSFET N-CH 500V 24A TO247ADIRFP4710PBFInternational RectifierIRFP4710 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFP460NIRIRFP4868PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 300V 70A TO247AC
IRFP460PBF MOSElectro-Films (EFI) / VishayIRFP4710IRIRFP4668PBF MOSIRIRFP4668IRIRFP4768PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 93A TO247ACIRFP4688PBFIRIRFP460LCPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
IRFP460CFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 500V 20A TO3P| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.