مواصفات التكنولوجيا IRFR3518PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRFR3518PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRFR3518PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | D-Pak | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 29mOhm @ 18A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 110W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1710 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 56 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 80 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRFR3518PBF.
| سمة المنتج |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFR3518PBF | IRFR3505TRPBF | IRFR3518TRPBF | IRFR3704 |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 29mOhm @ 18A, 10V | 13mOhm @ 30A, 10V | 29mOhm @ 18A, 10V | 9.5mOhm @ 15A, 10V |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 38A (Tc) | 30A (Tc) | 38A (Tc) | 75A (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 56 nC @ 10 V | 93 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 19 nC @ 4.5 V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 80 V | 55 V | 80 V | 20 V |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 110W (Tc) | 140W (Tc) | 110W (Tc) | 90W (Tc) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1710 pF @ 25 V | 2030 pF @ 25 V | 1710 pF @ 25 V | 1996 pF @ 10 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFR3518PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRFR3518PBF - Infineon Technologies.
IRFR3505TRLPBFIRIRFR3704 MOSIRIRFR3518TRPBF MOSIRIRFR3505TRPBF.IRIRFR3505TRRPBF.IRIRFR3505TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 30A DPAKIRFR3518TRPBF.IRIRFR3505TRLPBF MOSIRIRFR3518 MOSIRIRFR3505ZTRPBFIRIRFR3607TRPBF.IRIRFR3518TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 80V 38A DPAK
IRFR3607Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFR3704Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 75A DPAKIRFR3607PBF MOSIRIRFR3505PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 30A DPAKIRFR3518IR/VISHAYIRFR3607TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 56A DPAK| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.