مواصفات التكنولوجيا IRFS4229PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRFS4229PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRFS4229PBF
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
الصانع | Infineon Technologies | |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
فغس (ماكس) | ±30V | |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | |
سلسلة | HEXFET® | |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 48mOhm @ 26A, 10V | |
تبديد الطاقة (ماكس) | 330W (Tc) | |
حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
طَرد | Tube |
سمة المنتج | قيمة السمة | |
---|---|---|
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
تصاعد نوع | Surface Mount | |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 4560 pF @ 25 V | |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 110 nC @ 10 V | |
نوع FET | N-Channel | |
FET الميزة | - | |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRFS4229PBF.
سمة المنتج | ||||
---|---|---|---|---|
رقم القطعة | IRFS4229PBF | IRFS4229TRLPBF | IRFS4310TRRPBF | IRFS4227PBF |
الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies |
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
تبديد الطاقة (ماكس) | 330W (Tc) | 330W (Tc) | 300W (Tc) | 330W (Tc) |
نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
FET الميزة | - | - | - | - |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 4560 pF @ 25 V | 4560 pF @ 25 V | 7670 pF @ 50 V | 4600 pF @ 25 V |
فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 48mOhm @ 26A, 10V | 48mOhm @ 26A, 10V | 7mOhm @ 75A, 10V | 26mOhm @ 46A, 10V |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | - | 10V |
حزمة / كيس | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
طَرد | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 250 V | 250 V | 100 V | 200 V |
تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA |
تجار الأجهزة حزمة | D2PAK | PG-TO263-3 | PG-TO263-3-2 | D2PAK |
سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 110 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 45A (Tc) | 45A (Tc) | 130A (Tc) | 62A (Tc) |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFS4229PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRFS4229PBF - Infineon Technologies.
البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
---|---|---|
منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
البرازيل | 7 | |
أوروبا | ألمانيا | 5 |
المملكة المتحدة | 4 | |
إيطاليا | 5 | |
أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
نيوزيلندا | 5 | |
آسيا | الهند | 4 |
اليابان | 4 | |
الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
مرجع شحن DHL & FedEx | |
---|---|
رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.