مواصفات التكنولوجيا IRFU3303PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRFU3303PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRFU3303PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | IPAK (TO-251AA) | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 31mOhm @ 18A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 57W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 750 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 29 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRFU3303PBF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRFU3303PBF | IRFU320PBF | IRFU3303 | IRFU320 |
| الصانع | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Harris Corporation |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 33A (Tc) | 3.1A (Tc) | 33A (Tc) | 3.1A (Tc) |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 57W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) | 57W (Tc) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 750 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V | 750 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| حزمة / كيس | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| سلسلة | HEXFET® | - | HEXFET® | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 29 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 20 nC @ 10 V |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Bulk |
| تجار الأجهزة حزمة | IPAK (TO-251AA) | TO-251AA | IPAK (TO-251AA) | TO-251AA |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 31mOhm @ 18A, 10V | 1.8Ohm @ 1.9A, 10V | 31mOhm @ 18A, 10V | 1.8Ohm @ 1.9A, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 30 V | 400 V | 30 V | 400 V |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRFU3303PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRFU3303PBF - Infineon Technologies.
IRFU3410PBF MOSIRIRFU310PBF MOSIRIRFU320PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AAIRFU3504IRIRFU3411IRIRFU3303Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 33A IPAKIRFU320Harris CorporationMOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AAIRFU3412IRIRFU3411PBFVBSEMIIRFU320Vishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AAIRFU3412 MOSIRIRFU320AIRIRFU320 MOSIRIRFU3410Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 31A IPAK
IRFU330BFairchild (onsemi)IRFU3410PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 31A IPAKIRFU310PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
IRFU310TUSamsung Semiconductor| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.