مواصفات التكنولوجيا IRL3215
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRL3215 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRL3215
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±16V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 166mOhm @ 7.2A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 80W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 775 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 35 nC @ 5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRL3215.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRL3215 | IRL3302 | IRL3202S | IRL3103STRR |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220AB | TO-220AB | D2PAK | D2PAK |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 166mOhm @ 7.2A, 10V | 20mOhm @ 23A, 7V | 16mOhm @ 29A, 7V | 12mOhm @ 34A, 10V |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 12A (Tc) | 39A (Tc) | 48A (Tc) | 64A (Tc) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 150 V | 20 V | 20 V | 30 V |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2V @ 250µA | 700mV @ 250µA (Min) | 700mV @ 250µA (Min) | 1V @ 250µA |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 35 nC @ 5 V | 31 nC @ 4.5 V | 43 nC @ 4.5 V | 33 nC @ 4.5 V |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 775 pF @ 25 V | 1300 pF @ 15 V | 2000 pF @ 15 V | 1650 pF @ 25 V |
| فغس (ماكس) | ±16V | ±10V | ±10V | ±16V |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 80W (Tc) | 57W (Tc) | 69W (Tc) | 94W (Tc) |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4V, 10V | 4.5V, 7V | 4.5V, 7V | 4.5V, 10V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRL3215 PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRL3215 - Infineon Technologies.
IRL3302Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 39A TO220AB
IRL3303 MOSIRIRL3202STRL MOSIRIRL3202SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 48A D2PAKIRL3103STRRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 64A D2PAKIRL3103TRIRIRL3202STRLIRIRL3302SInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 39A D2PAKIRL3202PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 48A TO220ABIRL3202IR/VISHAYIRL3103STRR MOSIRIRL3215PBFIRIRL3302S L3302SIRIRL3302 MOSIRIRL3302PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 20V 39A TO220ABIRL3303LPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 38A TO262IRL3303Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 38A TO220ABIRL3202S MOSIR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.