مواصفات التكنولوجيا IRLR8256PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRLR8256PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRLR8256PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.35V @ 25µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | D-Pak | |
| سلسلة | HEXFET® | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 5.7mOhm @ 25A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 63W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1470 pF @ 13 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15 nC @ 4.5 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 25 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 81A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRLR8256PBF.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRLR8256PBF | IRLR8256TRPBF | IRLR8503PBF | IRLR8259PBF |
| الصانع | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | International Rectifier |
| طَرد | Tube | Bulk | Tube | Bulk |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1470 pF @ 13 V | 1470 pF @ 13 V | 1650 pF @ 25 V | 900 pF @ 13 V |
| تجار الأجهزة حزمة | D-Pak | D-Pak | D-Pak | D-Pak |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 63W (Tc) | 63W (Tc) | 62W (Tc) | 48W (Tc) |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| سلسلة | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 5.7mOhm @ 25A, 10V | 5.7mOhm @ 25A, 10V | 16mOhm @ 15A, 10V | 8.7mOhm @ 21A, 10V |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 15 nC @ 4.5 V | 15 nC @ 4.5 V | 20 nC @ 5 V | 10 nC @ 4.5 V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 25 V | 25 V | 30 V | 25 V |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 2.35V @ 25µA | 2.35V @ 25µA | 3V @ 250µA | 2.35V @ 25µA |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 81A (Tc) | 81A (Tc) | 44A (Tc) | 57A (Tc) |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRLR8256PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRLR8256PBF - Infineon Technologies.
IRLR8259TRLPBFIRIRLR8203PBFIRIRLR8256TRPBFInternational RectifierIRLR8256 - 12V-300V N-CHANNEL POIRLR8503PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 44A DPAKIRLR8203-TRRIRIRLR8203 MOSIRIRLR8259PBFInternational RectifierHEXFET POWER MOSFETIRLR8203TRRIRIRLR8503TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 44A DPAKIRLR8203IRIRLR8203TRRPBFIORIRLR8259TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 57A DPAKIRLR8259IRIRLR8503Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 44A DPAKIRLR8203TRPBFIRIRLR8503TRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 44A DPAKIRLR8203 LR8203IRIRLR8256IR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.