مواصفات التكنولوجيا IRS2101PBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRS2101PBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRS2101PBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - توريد | 10V ~ 20V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-PDIP | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 70ns, 35ns | |
| حزمة / كيس | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.5V | |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | High-Side or Low-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 290mA, 600mA | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | |
| رقم المنتج الأساسي | IRS2101 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRS2101PBF.
| سمة المنتج |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRS2101PBF | IRS2103PBF | IRS2103SPBF | IRS2101STRPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| الجهد - توريد | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| تردد الإدخال | 2 | 2 | 2 | 2 |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 70ns, 35ns | 70ns, 35ns | 70ns, 35ns | 70ns, 35ns |
| حزمة / كيس | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-PDIP | 8-PDIP | 8-SOIC | 8-SOIC |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة | High-Side or Low-Side | Half-Bridge | Half-Bridge | High-Side or Low-Side |
| رقم المنتج الأساسي | IRS2101 | IRS2103 | IRS2103 | IRS2101 |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | Independent | Independent | Independent |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting | Inverting, Non-Inverting | Non-Inverting |
| سلسلة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRS2101PBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRS2101PBF - Infineon Technologies.
IRS2101IRIRS2103PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
IRS20957STRPBFInfineon TechnologiesIC AMP CLASS D MONO 16SOICIRS2103IORIRS2103SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIRS20955IRIRS20954STRPBFInfineon TechnologiesIC LINE DRIVER 16SOICIRS2101STRPBF MOSIRIRS2101TRIRIRS20956SIR
IRS20957SCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRS20955SPBFInfineon TechnologiesIC LINE DRIVER 16SOICIRS2101STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOICIRS2103SIRIRS20965STRPBFInternational RectifierIRS2096 - CLASS D AUDIO DRIVERIRS2101SIRIRS20956STRPBFIRIRS2101SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.