مواصفات التكنولوجيا IRS2127SPBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRS2127SPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRS2127SPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - توريد | 12V ~ 20V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 80ns, 40ns | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 1 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.5V | |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | High-Side | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 290mA, 600mA | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | |
| رقم المنتج الأساسي | IRS2127 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRS2127SPBF.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRS2127SPBF | IRS21281PBF | IRS21271SPBF | IRS21271STRPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.5V |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA | 290mA, 600mA |
| رقم المنتج الأساسي | IRS2127 | IRS21281 | IRS21271 | IRS21271 |
| الجهد - توريد | 12V ~ 20V | 9V ~ 20V | 9V ~ 20V | 9V ~ 20V |
| تردد الإدخال | 1 | 1 | 1 | 1 |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| طَرد | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Single | Single | Single | Single |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-DIP (0.300', 7.62mm) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| تكوين مدفوعة | High-Side | High-Side | High-Side | High-Side |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 8-PDIP | 8-SOIC | 8-SOIC |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns | 80ns, 40ns |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRS2127SPBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRS2127SPBF - Infineon Technologies.
IRS21271STRPBF.IRIRS21281SPBF.IRIRS21271STRIRIRS2128IRIRS2127SIRIRS21281IRIRS21281PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIPIRS21271SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21271IRIRS21271STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21271SIRIRS2127STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS21271TRPBF.IRIRS21271PBF.IRIRS2127STRPBF.IRIRS21281SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOICIRS2127TRPBFIRIRS21281PBF.IR| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.