مواصفات التكنولوجيا IRS2330SPBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRS2330SPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRS2330SPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - توريد | 10V ~ 20V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 28-SOIC | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 80ns, 35ns | |
| حزمة / كيس | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 6 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.2V | |
| نوع المدخلات | Inverting | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 250mA, 500mA | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | 3-Phase | |
| رقم المنتج الأساسي | IRS2330 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRS2330SPBF.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRS2330SPBF | IRS2332JPBF | IRS2308STRPBF | IRS2332JTRPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| الجهد - توريد | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.2V |
| نوع المدخلات | Inverting | Inverting | Non-Inverting | Inverting |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 80ns, 35ns | 80ns, 35ns | 100ns, 35ns | 80ns, 35ns |
| تردد الإدخال | 6 | 6 | 2 | 6 |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| حزمة / كيس | 28-SOIC (0.295', 7.50mm Width) | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 250mA, 500mA | 250mA, 500mA | 290mA, 600mA | 250mA, 500mA |
| طَرد | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| سلسلة | - | - | - | - |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| رقم المنتج الأساسي | IRS2330 | IRS2332 | IRS2308 | IRS2332 |
| تجار الأجهزة حزمة | 28-SOIC | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | 8-SOIC | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | 3-Phase | 3-Phase | Independent | 3-Phase |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRS2330SPBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRS2330SPBF - Infineon Technologies.
IRS2308SIRIRS2332JPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIRS2332JTRPBF.IRIRS2332DSIRIRS2308STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIRS2332JTRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCCIRS2332DSPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIRS23300DSPBFIRIRS2308SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIRS2330SIRIRS2332IRIRS2308STRIORIRS2330DSIRIRS2332SPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIRS2308IRIRS2330STRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOICIRS2332DSTRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
IRS2308PBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.