مواصفات التكنولوجيا IRS2607DSTRPBF
المواصفات الفنية Infineon Technologies - IRS2607DSTRPBF والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - IRS2607DSTRPBF
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| الجهد - توريد | 10V ~ 20V | |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | |
| سلسلة | - | |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 150ns, 50ns | |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| تردد الإدخال | 2 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.2V | |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 200mA, 350mA | |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | |
| رقم المنتج الأساسي | IRS2607 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies IRS2607DSTRPBF.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | IRS2607DSTRPBF | IRS26302DJPBF | IRS2607DSPBF | IRS2609DSPBF |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| نوع المدخلات | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| تردد الإدخال | 2 | 6 | 2 | 2 |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة) | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA | 200mA, 350mA |
| سلسلة | - | - | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| الجهد - توريد | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V | 10V ~ 20V |
| حزمة / كيس | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| رقم المنتج الأساسي | IRS2607 | IRS26302 | IRS2607 | IRS2609 |
| نوع البوابة | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع) | 150ns, 50ns | 125ns, 50ns | 150ns, 50ns | 150ns, 50ns |
| المنطق الجهد - فيل، فيه | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.5V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس) | Independent | 3-Phase | Independent | Synchronous |
| تجار الأجهزة حزمة | 8-SOIC | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) | 8-SOIC | 8-SOIC |
قم بتنزيل أوراق بيانات IRS2607DSTRPBF PDF ووثائق Infineon Technologies لـ IRS2607DSTRPBF - Infineon Technologies.
IRS26302DJPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
IRS26310DJTRIRIRS26310DJIR
IRS25752LTRPBFInfineonIRS2608DSTRPBF.IRIRS26071DPBFIRIRS2607DSPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIRS2609DSPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIRS25803DSTRPBFInfineon TechnologiesIC PFC CTRLR CRM 8SOICIRS26302D-SIIRIRS2607DSIRIRS2608DSTRPBFInfineon TechnologiesIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICIRS26071DSIR
IRS2573DSTRPBFInfineon TechnologiesIC HID LAMP CNTRL 240HZ 28SOICIRS2580DSPBFInfineon TechnologiesIC PFC CTRLR CCM 8SOICIRS2608DSIRIRS26302DJIRIRS2580DSTRPBFInfineon TechnologiesIC PFC CTRLR CRM 8SOIC| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.