مواصفات التكنولوجيا SPI20N60CFD
المواصفات الفنية Infineon Technologies - SPI20N60CFD والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - SPI20N60CFD
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 1mA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO262-3-1 | |
| سلسلة | CoolMOS™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 220mOhm @ 13.1A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 208W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2400 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 124 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 20.7A (Tc) |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies SPI20N60CFD.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SPI20N60CFD | SPI15N65C3 | SPI47N10L | SPI20N65C3 |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 | PG-TO262-3-1 | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 1mA | 3.9V @ 675µA | 2V @ 2mA | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 4.5V, 10V | - |
| حزمة / كيس | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 124 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 135 nC @ 10 V | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| سلسلة | CoolMOS™ | CoolMOS™ | SIPMOS® | * |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 220mOhm @ 13.1A, 10V | 280mOhm @ 9.4A, 10V | 26mOhm @ 33A, 10V | - |
| طَرد | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 20.7A (Tc) | 15A (Tc) | 47A (Tc) | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 208W (Tc) | 156W (Tc) | 175W (Tc) | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2400 pF @ 25 V | 1600 pF @ 25 V | 2500 pF @ 25 V | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 650 V | 100 V | - |
SPI127QRL-330JACKPHONE
SPI755WCCL-8R2GC ElectronicsSPI15N65C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI20N60C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPI127QR-150MSPI50X3S240SAMPLEIGBT ModuleSPI130-35-1R0TODAISUSPI26CN10NCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPI47N10LInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 47A TO262-3SPI20N65C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI21N50C31Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPI21N50C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPI21N50C3/21N50C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPI2512F-2R2MTAI-TECHSPI12N50C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPI15N60C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI16N50C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPI15N60CFDInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.