مواصفات التكنولوجيا SPW11N60CFD
المواصفات الفنية Infineon Technologies - SPW11N60CFD والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies - SPW11N60CFD
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Infineon Technologies | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 500µA | |
| فغس (ماكس) | ±20V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO247-3-21 | |
| سلسلة | CoolMOS™ | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 440mOhm @ 7A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 125W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | |
| طَرد | Bulk |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1200 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 64 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| يصف | وصف |
|---|---|
| حالة RoHs | |
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | 1 (Unlimited) |
| الوصول إلى الحالة | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Infineon Technologies SPW11N60CFD.
| سمة المنتج |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | SPW11N60CFD | SPW11N60C3 | SPW12N50C3 | SPW07N60CFD |
| الصانع | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 600 V | 600 V | 500 V | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 64 nC @ 10 V | 60 nC @ 10 V | 49 nC @ 10 V | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 500µA | 3.9V @ 500µA | 3.9V @ 500µA | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 1200 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 440mOhm @ 7A, 10V | 380mOhm @ 7A, 10V | 380mOhm @ 7A, 10V | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 11A (Tc) | 11A (Tc) | 11.6A (Tc) | - |
| حزمة / كيس | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Through Hole | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| سلسلة | CoolMOS™ | CoolMOS™ | CoolMOS™ | * |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 125W (Tc) | 125W (Tc) | 125W (Tc) | - |
| فغس (ماكس) | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| طَرد | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| تجار الأجهزة حزمة | PG-TO247-3-21 | PG-TO247-3-21 | PG-TO247-3-21 | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | 10V | - |
SPW08F0ZSeoul SemiconductorSPW112ASUNPLUSSPW12N50C3 12N50C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPW11N80C3 11N80C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPW1102SUNTAK
SPW0442HR5H-1-7KnowlesSPW11N80C3FKSA1InfineonSPW11N60C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPW1050AXXSPW13N50C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPW12N50C3Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPW11N80C3 MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPW11N80C3Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)SPW12N50CINFSPW07N60CFDInfineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFETSPW1020AXXSPW0690LM4HKnowlesSPW11N60S5Infineon TechnologiesN-CHANNEL POWER MOSFET| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ يرجى إضافة إلى CART ، وسوف نتصل بك على الفور.