مواصفات التكنولوجيا 1N4448HWS-7-F
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - 1N4448HWS-7-F والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - 1N4448HWS-7-F
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.25 V @ 150 mA | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 80 V | |
| تكنولوجيا | Standard | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOD-323 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 4 ns |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | SC-76, SOD-323 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 nA @ 80 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 250mA | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 3.5pF @ 0V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4448 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated 1N4448HWS-7-F.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | 1N4448HWS-7-F | 1N4448TR | 1N4448TR | 1N4448HWS-13-F |
| الصانع | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | Diodes Incorporated |
| حزمة / كيس | SC-76, SOD-323 | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | SC-76, SOD-323 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 nA @ 80 V | 5 µA @ 75 V | 5 µA @ 75 V | 100 nA @ 80 V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 1.25 V @ 150 mA | 1 V @ 100 mA | 1 V @ 100 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 250mA | 150mA | 200mA | 250mA |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| رقم المنتج الأساسي | 1N4448 | 1N4448 | 1N4448 | 1N4448 |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | SOD-323 | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | SOD-323 |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 3.5pF @ 0V, 1MHz | 4pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 3.5pF @ 0V, 1MHz |
| عكس وقت الاسترداد (TRR) | 4 ns | 8 ns | 4 ns | 4 ns |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | 175°C (Max) | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 150°C |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 80 V | 100 V | 100 V | 80 V |
| تكنولوجيا | Standard | Standard | Standard | Standard |
قم بتنزيل أوراق بيانات 1N4448HWS-7-F PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ 1N4448HWS-7-F - Diodes Incorporated.
1N4448LBL1N4448TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 100V 150MA DO351N4448TRonsemiDIODE GEN PURP 100V 200MA DO351N4448HWS-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
1N4448TRFairchild SemiconductorHIGH CONDUCTANCE FAST DIODE1N4448HWT-7-FMSV
1N4448HWS-7-G-81Diodes Incorporated1N4448HLP-7-FDiodes Incorporated1N4448HWS-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323
1N4448HWT-7Diodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 125MA SOD5231N4448HLP-7-55Diodes Incorporated
1N4448WTaiwan Semiconductor CorporationSOD-123F, 75V, 0.15A, SWITCHING1N4448HLP-7BDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN1N4448HWS-7-GDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 80V 250MA SOD3231N4448HW-7-FMSV1N4448HWSMSV1N4448HLP-7B-55Diodes Incorporated1N4448HLP-7##QQQQQQQQ| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.