مواصفات التكنولوجيا B170B-13-F
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - B170B-13-F والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - B170B-13-F
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 790 mV @ 1 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 70 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | SMB | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | DO-214AA, SMB |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 500 µA @ 70 V | |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 80pF @ 4V, 1MHz | |
| رقم المنتج الأساسي | B170 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated B170B-13-F.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | B170B-13-F | 1N1190AR | RSX101MM-30TR | RA201248XX |
| الصانع | Diodes Incorporated | Microchip Technology | Rohm Semiconductor | Powerex Inc. |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو) | 1A | 40A | 1A | 4800A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| رقم المنتج الأساسي | B170 | 1N1190 | RSX101 | RA201248 |
| تجار الأجهزة حزمة | SMB | DO-203AB (DO-5) | PMDU | Pow-R-Disc |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Stud Mount | Surface Mount | Chassis Mount |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 200°C | 150°C (Max) | - |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| تكنولوجيا | Schottky | Standard, Reverse Polarity | Schottky | Standard |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 70 V | 600 V | 30 V | 1200 V |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F | 80pF @ 4V, 1MHz | - | - | - |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 500 µA @ 70 V | 10 µA @ 600 V | 200 µA @ 40 V | 200 mA @ 1200 V |
| حزمة / كيس | DO-214AA, SMB | DO-203AB, DO-5, Stud | SOD-123F | DO-200AD |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 790 mV @ 1 A | 1.19 V @ 90 A | 390 mV @ 1 A | 1.05 V @ 3000 A |
قم بتنزيل أوراق بيانات B170B-13-F PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ B170B-13-F - Diodes Incorporated.
1N1190ARMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIERRSX101MM-30TRRohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDURA201248XXPowerex Inc.DIODE GP 1.2KV 4800A POW-R-DISC
B17A03EMC
1N1201RBSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 150V 12A DO4B170NF04VBsemi
STPS340SYSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC
SS16HM2GTSC (Taiwan Semiconductor)DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214AC
ES2DHE3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AAB170Q-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 1A SMAB170BE-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 1A SMB
SR24_R1_00001Panjit International Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMA25F60Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 25A DO4
ES3D/7TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 3A DO214ABB170-13-FDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 1A SMAB170AE-13Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 70V 1A SMAB1701TX-20P-000614Harvatek Corporation
CDBQR0130LComchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0402| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.