مواصفات التكنولوجيا BZT52HC12WF-7
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - BZT52HC12WF-7 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - BZT52HC12WF-7
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز) | 12 V | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 900 mV @ 10 mA | |
| تسامح | ±5.42% | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOD-123F | |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | |
| السلطة - ماكس | 375 mW |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | SOD-123F | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مقاومة (ماكس) (Zzt) | 10 Ohms | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 nA @ 8 V | |
| رقم المنتج الأساسي | BZT52 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated BZT52HC12WF-7.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | BZT52HC12WF-7 | BZT52HC9V1WF-7 | BZT55B2V4-GS08 | BZT55A8V2-GS08 |
| الصانع | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| حزمة / كيس | SOD-123F | SOD-123F | SOD-80 Variant | SOD-80 Variant |
| الجهد - زينر (الإسمي) (فز) | 12 V | 9.1 V | 2.4 V | 8.2 V |
| السلطة - ماكس | 375 mW | 375 mW | 500 mW | 500 mW |
| تسامح | ±5.42% | ±5.49% | ±2% | ±1% |
| درجة حرارة التشغيل | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | 175°C |
| مقاومة (ماكس) (Zzt) | 10 Ohms | 10 Ohms | 85 Ohms | 7 Ohms |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| رقم المنتج الأساسي | BZT52 | BZT52 | BZT55B2V4 | BZT55 |
| تجار الأجهزة حزمة | SOD-123F | SOD-123F | SOD-80 QuadroMELF | SOD-80 QuadroMELF |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 nA @ 8 V | 500 nA @ 6 V | 50 µA @ 1 V | 100 nA @ 6.2 V |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| سلسلة | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101 | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Automotive, AEC-Q101 |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 900 mV @ 10 mA | 900 mV @ 10 mA | 1.5 V @ 200 mA | 1.5 V @ 200 mA |
قم بتنزيل أوراق بيانات BZT52HC12WF-7 PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ BZT52HC12WF-7 - Diodes Incorporated.
BZT52HC9V1WF-7Diodes IncorporatedDIODE ZENER 9.1V SOD123F T&R 3KBZT52HC3V0WFDiodes IncorporatedBZT55B2V4-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 2.4V 500MW SOD80
BZT55B30 L1Taiwan Semiconductor
BZT52H-C6V8115NexperiaBZT55A8V2-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 8.2V 500MW SOD80
BZT52H-C8V2Freescale / NXP SemiconductorsBZT55B11-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 11V 500MW SOD80BZT52H-C75Freescale / NXP SemiconductorsBZT52HC27WF-7Diodes IncorporatedDIODE ZENER 27V 375MW SOD123FBZT52HC16WFDiodes IncorporatedBZT52H-C8V2,115Nexperia USA Inc.DIODE ZENER 8.2V 375MW SOD123FBZT52H-C7V5NexperiaBZT52H-C6V8Freescale / NXP SemiconductorsBZT55B13-GS08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE ZENER 13V 500MW SOD80BZT52H-C6V2,115NexperiaBZT52H-C9V1Freescale / NXP SemiconductorsBZT52H-C6V8,115Nexperia| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.