مواصفات التكنولوجيا DMG9N65CT
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - DMG9N65CT والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - DMG9N65CT
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | |
| فغس (ماكس) | ±30V | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V | |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 165W (Tc) | |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2310 pF @ 25 V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 39 nC @ 10 V | |
| نوع FET | N-Channel | |
| FET الميزة | - | |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 650 V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 9A (Tc) | |
| رقم المنتج الأساسي | DMG9 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated DMG9N65CT.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | DMG9N65CT | DMG9N65CTI | DMG9640M0R | DMG9926USD |
| الصانع | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Panasonic Electronic Components | Diodes Incorporated |
| رقم المنتج الأساسي | DMG9 | DMG9 | DMG9640 | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V | 1.3Ohm @ 4.5A, 10V | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | ITO-220AB | SSMini6-F3-B | - |
| FET الميزة | - | - | - | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على) | 10V | 10V | - | - |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab | SOT-563, SOT-666 | - |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 2310 pF @ 25 V | 2310 pF @ 25 V | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 9A (Tc) | 9A (Tc) | - | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 650 V | 650 V | - | - |
| تبديد الطاقة (ماكس) | 165W (Tc) | 13W (Tc) | - | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | 39 nC @ 10 V | 39 nC @ 10 V | - | - |
| نوع FET | N-Channel | N-Channel | - | - |
| طَرد | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | - | - |
| فغس (ماكس) | ±30V | ±30V | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات DMG9N65CT PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ DMG9N65CT - Diodes Incorporated.
DMG9640M0RPanasonic Electronic ComponentsTRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6DMG9926USDDiodes IncorporatedDMG9640N0RPanasonic Electronic ComponentsTRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
DMG9926UDM-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26DMG9926USD-13 MOSDiodes IncorporatedDMG9926USD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8LDMG964030RPanasonic Electronic ComponentsTRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6DMG964010RPanasonic Electronic ComponentsTRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6DMG9933USD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8SODMG964020RPanasonic Electronic ComponentsTRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6
DMG9640NOLPanasonicDMG9933USD-13 MOSDiodes IncorporatedDMG964H50RPanasonic Electronic ComponentsTRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6DMG9926USD-13-FDiodes IncorporatedDMG9933USDDiodes IncorporatedDMG9926UDMDiodes IncorporatedDMG9N65CTIDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 650V 9A ITO220ABDMG9926UDM-7-FDiodes Incorporated| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.