مواصفات التكنولوجيا DMN26D0UDJ-7
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - DMN26D0UDJ-7 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - DMN26D0UDJ-7
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.05V @ 250µA | |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-963 | |
| سلسلة | - | |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3Ohm @ 100mA, 4.5V | |
| السلطة - ماكس | 300mW | |
| حزمة / كيس | SOT-963 | |
| طَرد | Tape & Reel (TR) |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 14.1pF @ 15V | |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | - | |
| FET الميزة | Logic Level Gate | |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 240mA | |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | |
| رقم المنتج الأساسي | DMN26 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated DMN26D0UDJ-7.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | DMN26D0UDJ-7 | DMN2990UDJ-7 | DMN25D0UFA-7B | DMN2600UFB-7 MOS |
| الصانع | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss) | 20V | 20V | 25 V | - |
| FET الميزة | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | - |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس | 14.1pF @ 15V | 27.6pF @ 16V | 27.9 pF @ 10 V | - |
| سلسلة | - | - | - | - |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C | 240mA | 450mA | 240mA (Ta) | - |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| تجار الأجهزة حزمة | SOT-963 | SOT-963 | X2-DFN0806-3 | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS | 3Ohm @ 100mA, 4.5V | 990mOhm @ 100mA, 4.5V | 4Ohm @ 400mA, 4.5V | - |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
| السلطة - ماكس | 300mW | 350mW | - | - |
| حزمة / كيس | SOT-963 | SOT-963 | 3-XFDFN | - |
| رقم المنتج الأساسي | DMN26 | DMN2990 | DMN25 | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس | - | 0.5nC @ 4.5V | 0.36 nC @ 4.5 V | - |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
| تكنولوجيا | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
| ترتيب | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | - | - |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد | 1.05V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1.2V @ 250µA | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات DMN26D0UDJ-7 PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ DMN26D0UDJ-7 - Diodes Incorporated.
DMN25D0UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 25V 240MA 3DFNDMN2600UFB-7 MOSDiodes Incorporated
DMN24H3D5L-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 240V 480MA SOT23DMN2550UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 600MA 3DFNDMN26D0UFB4-7 MOSDiodes Incorporated
DMN26D0UT-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 230MA SOT523DMN2600UFB4-7Diodes IncorporatedDMN26D0UT-7 MOSDiodes Incorporated
DMN2500UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 810MA 3DFNDMN2500UFB4-7 MOSDiodes IncorporatedDMN26D0UTMSVDMN2501UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3DMN26D0UFB4Diodes Incorporated
DMN2600UFB-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFNDMN2990UDJ-7 MOSDiodes IncorporatedDMN2990UDJ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963DMN26D0UFB4-7BDiodes IncorporatedDIODEDMN26D0UFB4-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.