مواصفات التكنولوجيا MBR10100CDTR-G1
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - MBR10100CDTR-G1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - MBR10100CDTR-G1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 850 mV @ 5 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252-2 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - | |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| طَرد | Tape & Reel (TR) | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 150°C (Max) | |
| تصاعد نوع | Surface Mount | |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 100 V | |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 5A | |
| رقم المنتج الأساسي | MBR1010 |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated MBR10100CDTR-G1.
| سمة المنتج |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBR10100CDTR-G1 | MBR10100CT | MBR10100CS2TR-E1 | MBR10100CT |
| الصانع | Diodes Incorporated | Yangjie Technology | Diodes Incorporated | SMC Diode Solutions |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| حزمة / كيس | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 100 V | 200 µA @ 100 V | 100 µA @ 100 V | 1 mA @ 100 V |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C | 150°C (Max) | -55°C ~ 150°C |
| طَرد | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| رقم المنتج الأساسي | MBR1010 | MBR1010 | MBR1010 | MBR1010 |
| تصاعد نوع | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 850 mV @ 5 A | 850 mV @ 5 A | 850 mV @ 5 A | 850 mV @ 5 A |
| سلسلة | - | - | - | - |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-252-2 | TO-220AB | TO-263-2 | TO-220AB |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 5A | 10A | 5A | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBR10100CDTR-G1 PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ MBR10100CDTR-G1 - Diodes Incorporated.
MBR10100CTYangjie TechnologyTO-220AB 100V 10.0A Diodes Rec
MBR10100SMC Diode SolutionsDIODE SCHOTTKY 100V TO220ACMBR10100CS2TR-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263MBR10100CL-TF1-TUTCMBR10100CJMOSPEC
MBR10100Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AC
MBR10100-E3/4WVishay
MBR10100-M3/4WVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220ACMBR10100CLUTCMBR10100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
MBR10100(KSY1010DN)Fairchild (onsemi)
MBR10100CTDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 100V 5A TO220AB
MBR10100CDYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdSCHOTTKY DIODE 100V 10A TO-252MBR10100CL-TQ2-RUTC
MBR10100-BPMicro Commercial CoInterfaceMBR10100-M3Electro-Films (EFI) / Vishay
MBR10100 B10100AMI Semiconductor/onsemi
MBR10100CTLittelfuse Inc.DIODE SCHOTTKY 100V 5A TO220AB| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.