مواصفات التكنولوجيا MBR30100CT-E1
المواصفات الفنية Diodes Incorporated - MBR30100CT-E1 والسمات والمعلمات والأجزاء مع مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated - MBR30100CT-E1
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| الصانع | Diodes Incorporated | |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 850 mV @ 15 A | |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | |
| تكنولوجيا | Schottky | |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| سلسلة | - |
| سمة المنتج | قيمة السمة | |
|---|---|---|
| حزمة / كيس | TO-220-3 | |
| طَرد | Tube | |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| تصاعد نوع | Through Hole | |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 100 V | |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 15A |
الأجزاء الثلاثة على اليمين لها مواصفات مماثلة لـ Diodes Incorporated MBR30100CT-E1.
| سمة المنتج |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| رقم القطعة | MBR30100CT-E1 | MBR30100CT | MBR30060CT | MBR30100PT |
| الصانع | Diodes Incorporated | Taiwan Semiconductor Corporation | GeneSiC Semiconductor | Yangjie Technology |
| تجار الأجهزة حزمة | TO-220-3 | TO-220AB | Twin Tower | TO-247 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي | 100 µA @ 100 V | 200 µA @ 100 V | 8 mA @ 20 V | 50 µA @ 100 V |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس) | 100 V | 100 V | 60 V | 100 V |
| حزمة / كيس | TO-220-3 | TO-220-3 | Twin Tower | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 175°C |
| طَرد | Tube | Tube | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| تصاعد نوع | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole |
| سرعة | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| تكوين الصمام الثنائي | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode | 1 Pair Common Cathode |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا | 850 mV @ 15 A | 940 mV @ 30 A | 750 mV @ 150 A | 800 mV @ 15 A |
| تكنولوجيا | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود) | 15A | 30A | 150A | 30A |
| سلسلة | - | - | - | - |
قم بتنزيل أوراق بيانات MBR30100CT-E1 PDF ووثائق Diodes Incorporated لـ MBR30100CT-E1 - Diodes Incorporated.
MBR30100CTTaiwan Semiconductor CorporationDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR30060CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 60V 150A 2TOWERMBR30100PTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-
MBR30100CTSMC Diode SolutionsDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220MBR30090CTIXFNIGBT ModuleMBR30080CTGeneSiC SemiconductorDIODE MODULE 80V 150A 2TOWERMBR30100CTDiotec SemiconductorSchottkyD, 100V, 30A
MBR30100CTF-E1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F
MBR30100CTWLITEONMBR30100FCTYangjie TechnologyITO-220AB 100V 30A Diodes RectMBR30100HCTMHCHXMMBR30100CTGFIRSTMBR30100CT MOSDiodes Incorporated
MBR30100SMC Diode Solutions100V, 30A, TO-220AC, SCHOTTKY REMBR30100FCFRAGILEMBR30100CT_T0_00001Panjit International Inc.TO-220AB, SKYMBR30100CTYangjie TechnologyDiodes - Rectifiers - Single TO-MBR30100CTF-G1Diodes IncorporatedDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F| البلدان الشائعة اللوجستية المرجعية لوجستية | ||
|---|---|---|
| منطقة | دولة | الوقت اللوجستي (اليوم) |
| أمريكا | الولايات المتحدة | 5 |
| البرازيل | 7 | |
| أوروبا | ألمانيا | 5 |
| المملكة المتحدة | 4 | |
| إيطاليا | 5 | |
| أوقيانوسيا | أستراليا | 6 |
| نيوزيلندا | 5 | |
| آسيا | الهند | 4 |
| اليابان | 4 | |
| الشرق الأوسط | إسرائيل | 6 |
| مرجع شحن DHL & FedEx | |
|---|---|
| رسوم الشحن (كغ) | مرجع DHL (دولار أمريكي) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دولار أمريكي - 60.00 دولار أمريكي |
| 1.00kg-2.00kg | 40.00 دولار أمريكي - 80.00 دولار أمريكي |
| 2.00 كجم-3.00 كجم | 50.00 دولار أمريكي - 100.00 دولار أمريكي |
تريد سعر أفضل؟ إضافة إلى CART و إرسال RFQ الآن ، سنتصل بك على الفور.